FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر فوجی ژاپن
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
11A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3.5-4-4.5V |
ID(25°C) |
11A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
44A |
PD(TA=25°C) |
2.5W |
PD(TC=25°C) |
285W |
RDS(on) |
0.83-1Ω |
td(ON) |
37-56ns |
tr |
32-48ns |
td(off) |
124-186ns |
Trr |
2µS |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
FUJI |
کشور سازنده |
فیلیپین |
کیفیت |
ارجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
Features:
MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q
Technical
|
|
Drain to Source Breakdown Voltage | 900 V |
Drain to Source Resistance | 1 Ω |
Element Configuration | Single |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30 V |
Max Operating Temperature | 150 °C |
Min Operating Temperature | -55 °C |
Power Dissipation | 285 W |
Turn-Off Delay Time | 124 ns |
Turn-On Delay Time | 37 ns |
Dimensions
|
|
Height | 0.768 inch |
Length | 0.61 inch |
Width | 0.177 inch |
Compliance
|
|
RoHS | Compliant |
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 64K و رم 8K با فرکانس 48 مگاهرتز -Mainstream ARM Cortex-M0 Value line MCU with 16 Kbytes Flash, 48 MHz CPU
ایتوپرام 64 کیلو بیت ،8 کیلو بایت با رابط I2C دوسیمه ای سی (EEPROM 64-Kbit (8192 x 8 کپی،کیفیت معمولی
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری10 کیلو اهم 10 وات 10K10W 10K
MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52 ماسفت قدرت 500 ولت 12 آمپر توشیبا ژاپن