HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB
ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 75mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
8A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
8A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
32A |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.85Ω |
td(ON) |
35ns |
tr |
15ns |
td(off) |
90ns |
Trr |
600ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.29x15.75x4.92mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
دیود فست 600 ولت 30 آمپر - 30A,600V TO-247 ,HiPerFREDTM Epitaxial Diode trr = 35ns کاتد مشترک
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز Current Mode PWM Controller,DIP-8 درایور PWM اریجینال
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
نمایشگر قابل سوئیچ-هویه 50 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد- هیتر 450 وات کنترل دمای بین 100 تا 500 درجه سانتیگراد و جریان باد دهی 120 لیتر در دقیقه