HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 11.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
100V- |
جریان کاری |
19A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
100V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
19A- |
ID(HIGH TEMP) |
12A- |
IDM-IDP |
76A- |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.150-0.200Ω |
td(ON) |
16-20ns |
tr |
65-100ns |
td(off) |
47-70ns |
Trr |
170ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 23A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
ولوم 30000 سیکل 5 پایه(ولوم دستگاه گام) 1 کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 5pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
NTC ان تی سی 8 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده) قطر20 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 8 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
ساخت شرکت ST استفاده در درایو اینورتر - استوک و سالم
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 64K و رم 8K با فرکانس 48 مگاهرتز ARM®-based 32-bit MCU, 16 to 64 KB Flash, 11 timers, ADC, DAC and communication interfaces, 2.0-3.6 V