نقد و بررسی اجمالی
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package RDS(on) = 0.029Ω
آیسی ماسفت 20 ولت 6.6 آمپر
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package RDS(on) = 0.029Ω
آیسی ماسفت 20 ولت 6.6 آمپر
مزایا:
Benefits:
- RoHS Compliant
- Low RDS(on)
- Dynamic dv/dt Rating
- Fast Switching
- Dual N-Channel MOSFET
INTERNATIONAL FECTIFIER