Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A
ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V- |
جریان کاری |
19A- |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
19A- |
ID(HIGH TEMP) |
14A- |
IDM-IDP |
68A- |
PD(TA=25°C) |
0.45W |
PD(TC=25°C) |
68W |
RDS(on) |
0.10Ω |
td(ON) |
13ns |
tr |
55ns |
td(off) |
30ns |
Trr |
54-82ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
ساخت نیچیکون اصل بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 30 در 55 سری طول عمر بالا (CE) استفاده عمده در جوش های اینورتری
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی390 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر N کانال RDS=1.4 - 40V 195A Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package