N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A(80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=8 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A, TO-220
ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR مکزیک اریجینال
RDS=8 میلی اهم
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V |
جریان کاری |
110A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
110A |
ID(HIGH TEMP) |
80A |
IDM-IDP |
390A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
200W |
RDS(on) |
8mΩ |
td(ON) |
14ns |
tr |
101ns |
td(off) |
50ns |
Trr |
69-104ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
مکزیک |
کیفیت |
کیفیت عالی-ارجینال مکزیک |
نوع مونتاژ | DIP |
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
international rectifier
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
Surface Mount Fast Switching Rectifier 400 V, 1 A, DO-214AC دیودفست 400 ولت 1 آمپر اس ام دی
ماژول 1200 ولت 100 آمپر -نیپا اورجینال / 1200V,100A, IGBT Modules ,nippa,2-PACK,Half Bridge
40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ترانس HI VOLTAGE مدل FT-N31 -استفاده در بردهای HF دستگاه پلاسما- استفاده در انواع دستگاه جوش آرگون