200V ,31A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ماسفت قدرت 200 ولت 31 آمپر IR فیلیپین
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Benefits
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
31A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30v |
|
(VGS(th |
3-5.5v |
|
(ID(25°C |
31A |
|
(ID(HIGH TEMP |
21A |
|
IDM-IDP |
124A |
|
(PD(TA=25°C |
3.1W |
|
(PD(TC=25°C |
200W |
| (RDS(on |
0.082Ω |
|
(td(ON |
16nS |
|
tr |
38nS |
|
(td(off |
26nS |
|
Trr |
200-300nS |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.40x15.75x4.60mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
فیلیپین |
|
کیفیت |
اورجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
درایور تریاک اپتوکوپلری 400 ولت 1 کانال 5K ولت ایزوله،اپتو ترایاک 6 پین Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel ,DIP-6
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 560 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
رگلاتور ولتاژ متغیر(قابل تغییر) ثابت 3 آمپر اس ام دی D2PAK-5 3.0A, 52kHz, Step-Down Switching Regulator
