FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر فوجی ژاپن
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
11A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3.5-4-4.5V |
ID(25°C) |
11A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
44A |
PD(TA=25°C) |
2.5W |
PD(TC=25°C) |
285W |
RDS(on) |
0.83-1Ω |
td(ON) |
37-56ns |
tr |
32-48ns |
td(off) |
124-186ns |
Trr |
2µS |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
FUJI |
کشور سازنده |
فیلیپین |
کیفیت |
ارجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
Features:
MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q
Technical
|
|
Drain to Source Breakdown Voltage | 900 V |
Drain to Source Resistance | 1 Ω |
Element Configuration | Single |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30 V |
Max Operating Temperature | 150 °C |
Min Operating Temperature | -55 °C |
Power Dissipation | 285 W |
Turn-Off Delay Time | 124 ns |
Turn-On Delay Time | 37 ns |
Dimensions
|
|
Height | 0.768 inch |
Length | 0.61 inch |
Width | 0.177 inch |
Compliance
|
|
RoHS | Compliant |
ارتفاع 5 میلی متر (بلند و پرکاربرد)فریت بید مخصوص نویز گیری پایه های دیودی یا IGBT و یا ماسفتی و خط تغذیه مدارات انواع مدارات الکترونیکی از جمله مدارات اینورتر سایز بزرگ و بسیار کاربردی
مقاومت کربنی18کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
BZX55C22 Zener Diodes 22V 500mW دیود زنر22 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
هویه آنالوگ رومیزی 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد - با المنت سرامیکی با کیفیت