ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
1100V,60A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
1100 ولت 60آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
1100V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
1100V |
(IC(25°C |
60A |
(IC(HIGH TEMP |
53A |
VGE |
±25V |
Ptot-PD |
333W |
(VGE(th |
- |
(VCE(sat |
1.1-2.5V |
ICM-IC PULSE |
120A |
(IF(25°C |
30A |
(IF(HIGH TEMP |
- |
(td(ON |
0.25uS |
tr |
0.16uS |
(td(off |
0.46uS |
Trr |
0.60uS |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری6.8 کیلو اهم 10 وات 6.8K10W 6.8K
ماسفت 55 ولت 120 آمپر N کانال 55V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
هویه قلمی برند YIHUA-40W -ورودی 220-ماکزیمم دمای تولیدی200~450℃ درجه سانتیگراد - سر هویه با کیفیت و قابل تعویض-طول عمر بالای المنت هویه
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 4 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر