11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 50mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
200V- |
جریان کاری |
11A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
11A- |
ID(HIGH TEMP) |
7A- |
IDM-IDP |
44A- |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.350-0.500Ω |
td(ON) |
18-22ns |
tr |
45-68ns |
td(off) |
75-90ns |
Trr |
300ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 11A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 44mΩ
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 47 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
ماسفت 55 ولت 120 آمپر N کانال 55V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
دارای خروجی ثابت 5 ولت 3 آمپر- منبع تغذیه دوبل 5 آمپر 0 تا 30 ولت - 4 ولوم (ولوم دقیق ولتاژ و جریان)- دارای 4LED و دقت جریان یک هزارم-محافظ عالی اتصال کوتاه