ترانزیستور PNP ولتاژ 40- ولت 200 -میلی آمپر Bipolar Transistors - BJT -40V,-200mA PNP TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
|
تعداد پین |
|
پکیج |
|
ولتاژکاری |
|
جریان کاری |
|
VCBO |
|
VCEO |
|
VEBO |
|
IC |
|
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
hFE(min) |
|
hFE(max) |
|
ptot-PD |
|
FT |
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
چین |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
پلی استر 4.7 میکرو فاراد 400 ولت CBB سری طول عمر بالا
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
مقاومت کربنی5.6 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
مقاومت کربنی33 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor