ترانزیستور NPN ولتاژ 30 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 30V,100mA NPN TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
|
تعداد پین |
|
پکیج |
|
ولتاژکاری |
|
جریان کاری |
|
VCBO |
|
VCEO |
|
VEBO |
|
IC |
|
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
hFE(min) |
|
hFE(max) |
|
ptot-PD |
|
FT |
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
چین |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
ایتوپرام 16 کیلو بیت ،،2048 بایت با رابط I2C دوسیمه ای سی (EEPROM 16-Kbit (2024 x 8 کپی،کیفیت معمولی
سر ولوم قرمز سایز بزرگ یا رکتیفایری - بدنه طوسی کیفیت بالا و صنعتی
دیود دوبل فست 200 ولت 20 آمپر/Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V trr = 20 ns VF =0.85 V