ای جی بی تی فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
96A |
VCE |
200V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
96A |
VGE |
±30V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
- |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
60ns |
tr |
370ns |
td(off) |
220ns |
Trr |
180ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
BZX55C8V2 Zener Diodes 8.2V 500mW دیود زنر8.2 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 25A, 1200 V, High Speed Switching & Low Power Loss
E27(EEL-27) ترانس پالس با نسبت 1 به 1 دستگاه های IGBT برند HS اریجینال و با کیفیت بالا