FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر 960 میلی اهم فیرچایلد
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
ساخت المان - واردات از دیجی کی اتریش 100 درصد اریجینال مخصوص بازار اروپا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
11A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3-5V |
ID(25°C) |
11.4A |
ID(HIGH TEMP) |
7.2A |
IDM-IDP |
45.6A |
PD(TA=25°C) |
2.38W |
PD(TC=25°C) |
300W |
RDS(on) |
0.75-0.96Ω |
td(ON) |
65-140ns |
tr |
135-280ns |
td(off) |
165-340ns |
Trr |
850ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.60x19.90x4.80mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
FAIRCHILD |
کشور سازنده |
آلمان |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
FQA11N90 / FQA11N90_F109
N-Channel QFET® MOSFET
900V, 11.4 A, 960 mΩ
ویژگی های بیشتر:
• 11.4 A, 900 V, RDS(on) = 960 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 5.7 A
• Low Gate Charge (Typ. 72 nC)
• Low Crss (Typ. 30 pF)
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
Fairchild Semiconductor Corporation
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance and
high avalanche energy strength. These devices are suitable
for switched mode power supplies, active power factor
correction (PFC), and electronic lamp ballasts
ترانس 200:6 EE28 200:6 HS ترانس تغذیه سوئیچینگ 8 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل ماسفتی یا IGBT اریجینال و با کیفیت بالا
ایسی PFM+PWM کنترلر ساخت انواع منابغ تغذیه با ماسفت قدرتمند ولتاژ بالا CURRENT MODE PWM+PFM CONTROLLER WITH BUILT-IN HIGH VOLTAGE MOSFET
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری680 اهم 10 وات 680R10W 680R
ترانزیستورPNP ولتاژ 200- ولت500- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -200V,-500mA PNP TRANSISTOR