برخی محصولات سایت

ولوم 5 کیلو(5k-502)

40,300 تومان قیمت 36,300 تومان

اریجینال کیفیت عالی

سبد خرید

TP2274-TR

قیمت 11,100 تومان

اورجینال کیفیت بالا

سبد خرید

محصولات ویژه

برد 16 ماسفتی دستگاه جوش(سه فازی) ماسفت توشیبا K3878 ژاپن

1,773,200 تومان قیمت 1,755,500 تومان

کیفیت بالا - ساخت آترین الکترونیک(بدون درج برند آترین بروی برد)

سبد خرید

11N120CND/HGTG11N120CND

قیمت 107,600 تومان

اورجینال واردات از Digi-Key اتریش(سفارش اروپا)-افزایش قیمت جهانی

سبد خرید

برد خام 10 دیودی دستگاه 250 آمپر IGBT سایز کوچک

قیمت 274,600 تومان

کیفیت بالا-ساخت آترین الکترونیک

سبد خرید

FQA11N90/11N90 اریجینال ساخت آلمان

FQA11N90 / FQA11N90-F109/11N90

FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان

تعداد

تخفیف

قیمت

69,500 تومان

+20

4.6 %

66,300 تومان

+100

7.9 %

64,000 تومان

موجودی:

209

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد.

جایگزین: 11N90E/11N90/FMH11N90E برند: FAIRCHILD پکیج: TO-3P وزن: 5.1g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان

مشخصات بیشتر :

دریافت دیتا شیت

ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر 960 میلی اهم فیرچایلد
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
ساخت المان - واردات از دیجی کی اتریش 100 درصد اریجینال مخصوص بازار اروپا

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	900V
جریان کاری	11A
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	900V
VGS-VGSS	±30V
VGS(th)	3-5V
ID(25°C)	11.4A
ID(HIGH TEMP)	7.2A
IDM-IDP	45.6A
PD(TA=25°C)	2.38W
PD(TC=25°C)	300W
RDS(on)	0.75-0.96Ω
td(ON)	65-140ns
tr	135-280ns
td(off)	165-340ns
Trr	850ns
MOSFET PACK	1
ابعاد	15.60x19.90x4.80mm
دمای کاری	150+~55-
برند	FAIRCHILD
کشور سازنده	آلمان
کیفیت	ارجینال
نوع مونتاژ	DIP

FQA11N90 / FQA11N90_F109
N-Channel QFET® MOSFET
900V, 11.4 A, 960 mΩ

ویژگی های بیشتر:
• 11.4 A, 900 V, RDS(on) = 960 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 5.7 A
• Low Gate Charge (Typ. 72 nC)
• Low Crss (Typ. 30 pF)
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant

Fairchild Semiconductor Corporation

Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance and
high avalanche energy strength. These devices are suitable
for switched mode power supplies, active power factor
correction (PFC), and electronic lamp ballasts