ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
90A |
IC(HIGH TEMP) |
50A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
48ns |
tr |
36ns |
td(off) |
122ns |
Trr |
140ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
دیود فست / عمومی 100 ولت 200 میلی آمپر 4 نانو ثانیه /4ns ,200mA ,100V,DO-35 ,DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
ماژول 1200 ولت 100 آمپر -سیلان چین اورجینال/ 1200V,100A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge 100A, 1200V, VCE(sat)(typ.) =2.1V@IC=100A
کانکتور مخابراتی مربعی سیم دار صاف 4 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
مقاومت کربنی220 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor