ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
90A |
|
IC(HIGH TEMP) |
50A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
48ns |
|
tr |
36ns |
|
td(off) |
122ns |
|
Trr |
140ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
دیود پل شانه ای تک فاز 1000 ولت 6 آمپر / 6Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
2.2 نانو فاراد 2 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 2.2NF/2KV
ای جی بی تی فست 20 آمپر 600 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 20A,600V High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology
1200V,200A,infineon,2-Pack 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode ماژول 1200 ولت 200 آمپر دوبل فرکانس بالا و سریع اینفینیون اریجینال
