ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
90A |
|
IC(HIGH TEMP) |
50A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
48ns |
|
tr |
36ns |
|
td(off) |
122ns |
|
Trr |
140ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ 40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ماژول 1200 ولت 100 آمپر -سیلان چین اورجینال/ 1200V,100A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge 100A, 1200V, VCE(sat)(typ.) =2.1V@IC=100A
چیپ بزرگ - ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر نیپا/ N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P
پتانسیومتر 50 کیلو اهم ایستاده / POT 50K OHM / WH06-1C-50K
