TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,15A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 15 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
15A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
15A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
60A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.33-0.4Ω |
td(ON) |
90ns |
tr |
50ns |
td(off) |
175ns |
Trr |
1050ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز Switching Controllers 52kHz 1A Current PWM DIP8
ای جی بی تی فست 48 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا IGBT Trench 600V 48A 454W Through Hole TO-247AD n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IRGP4063PbF IRGP4063-EPbF
به همراه پلاستیک نگه دارنده پایه های LED شامل قاب فلزی - پیچ فلزی - نگه دارنده پایه های ال ای دی 3 میلی متر ساخت چین
مقاومت کربنی1 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor