02166766927 -02166703652
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

K3878/2SK3878 TOSHIBA اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

2SK3878
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
34,100 تومان
+20
2.9 %
33,100 تومان
+100
5.9 %
32,100 تومان
+500
10.0 %
30,700 تومان
جایگزین: SVF3878PN/3878 SILAN برند: TOSHIBA پکیج: TO-3P وزن: 4.9g دیتاشیت

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

 

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

 دریافت دیتا شیت

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

900V

جریان کاری

9A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

900V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

2-4V

 ID(25°C)

9A

 ID(HIGH TEMP)

-

IDM-IDP

27A

PD(TA=25°C)

-

PD(TC=25°C)

150W
RDS(on)

1-1.3Ω

td(ON)

65ns

tr

25ns

td(off)

120ns

Trr

1.4µs

MOSFET PACK

1

ابعاد

15.9x20x4.8mm

دمای کاری

150+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

 ژاپن

کیفیت

ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن
نوع مونتاژ DIP



مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
• Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)


به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن