ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت اینفینون/ 650V, 50 A fast and soft antiparallel diode/ پکیج TO-247 دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
IGBT 650V, 50 A fast and soft antiparallel diode
VCE=1.6V
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
50A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
56A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
305W |
|
VGE(th) |
3.2-4.8V |
|
VCE(sat) |
1.6-2.1V |
|
ICM-IC PULSE |
150A |
|
IF(25°C) |
40A |
|
IF(HIGH TEMP) |
27A |
|
td(ON) |
21nS |
|
tr |
15nS |
|
td(off) |
175nS |
|
Trr |
52nS |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اوریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 10*17
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت IR فیلیپین HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB RDS(on) = 44mΩ
هویه قلمی برند YIHUA توان 40W -ورودی 220-ماکزیمم دمای تولیدی 530 درجه سانتیگراد - سر هویه با کیفیت و قابل تعویض-طول عمر بالای المنت هویه
