02166766927 -02166703652
info@atrinelec.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

K2611/2SK2611 اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

2SK2611
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
4.9 %
50,700 تومان 48,200 تومان
+20
6.1 %
50,100 تومان 47,600 تومان
+100
7.3 %
49,500 تومان 47,000 تومان
+500
10.3 %
47,900 تومان 45,500 تومان

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

 

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
 دریافت دیتا شیت

900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن



موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

900V

جریان کاری

9A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

900V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

2-4V

 ID(25°C)

9A

 ID(HIGH TEMP)

-

IDM-IDP

27A

PD(TA=25°C)

-

PD(TC=25°C)

150W
RDS(on)

1.2-1.4Ω

td(ON)

60ns

tr

25ns

td(off)

95ns

Trr

1.6µs

MOSFET PACK

1

ابعاد

15.9x20x4.8mm

دمای کاری

150+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ساخت ژاپن- مونتاژ چین

کیفیت

ارجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ DIP



مشخصات بیشتر:

􀁺 Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 1.2 Ω (typ.)
􀁺 High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
􀁺 Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
􀁺 Enhancement−mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)



به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن