TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
دریافت دیتا شیت
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
9A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
9A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
27A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
1.2-1.4Ω |
|
td(ON) |
60ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
95ns |
|
Trr |
1.6µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ساخت ژاپن- مونتاژ چین |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
مقاومت کربنی680 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
BZX55C2V7 Zener Diodes 2.7V 500mW دیود زنر 2.7 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 650 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50A, 650 V, High Speed Switching & Low Power Loss
P-channel MOSFER -100V, 19A TO-263AB (D2PAK) ماسفت اس ام دی 100-ولت19 آمپر