ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
50A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
44A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
4.5-7.5V |
|
VCE(sat) |
1.55-2.2V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
40A |
|
IF(HIGH TEMP) |
100A |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مشخصات بیشتر:

خازن MKT ظرفیت1.5 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 1.5nF 100V 152j100V
50A,200V TO-3P , Ultrafast Dual Diode دیود الترا فست 200 ولت 50 آمپر trr = 32ns کاتد مشترک
مقاومت کربنی68 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت کربنی1.2 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor