09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

50JR22/GT50JR22 اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

GT50JR22
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
8.0 %
90,800 تومان 83,500 تومان
+20
9.1 %
89,600 تومان 82,500 تومان
+100
10.8 %
88,000 تومان 81,000 تومان
+500
12.6 %
86,400 تومان 79,400 تومان

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

 

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن
 دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

600V

جریان کاری

50A

VCE

600V

 IC(25°C)

50A

 IC(HIGH TEMP)

44A

VGE

±20V

Ptot-PD

-

VGE(th)

4.5-7.5V

VCE(sat)

1.55-2.2V

ICM-IC PULSE

-

 IF(25°C)

40A

 IF(HIGH TEMP)

100A

td(ON)

-

tr

-

td(off)

-

Trr

-

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

15.5x20.3x4.5mm

دمای کاری

175+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ژاپن

کیفیت

اریجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

 



مشخصات بیشتر:

1. Applications
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. Features
(1) 6.5th generation
(2) The RC-IGBT consists of a Freewheeling Diode(FWD) monolithically integrated in an IGBT chip.
(3) Enhancement mode
(4) High-speed switching
IGBT : tf = 0.05 μs (typ.) (IC = 50 A)
FWD : trr = 0.35 μs (typ.) (IF = 15 A)
(5) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.55 V (typ.) (IC = 50 A)
(6) High junction temperature : Tj = 175 (max)

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن
سال ۱۴۰۳