ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
50A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
50A |
IC(HIGH TEMP) |
44A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
4.5-7.5V |
VCE(sat) |
1.55-2.2V |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
40A |
IF(HIGH TEMP) |
100A |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.5x20.3x4.5mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مشخصات بیشتر:
مقاومت کربنی6.2 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 500 کیلو هرتز Current Mode PWM Controller,DIP-8
دیود فست 200 ولت 2 آمپر/ Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode, 2 A, 200 V trr = 25 ns VF =0.88 V
N-channel MOSFER 200V, 13A TO-252 (D-PAK) ماسفت اس ام دی 200ولت13 آمپر