SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
94A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
3-5V |
ID(25°C) |
94A |
ID(HIGH TEMP) |
66A |
IDM-IDP |
380A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
580W |
RDS(on) |
0.023Ω |
td(ON) |
23ns |
tr |
160ns |
td(off) |
43ns |
Trr |
230-340ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
SFR60F30PN Low-Loss Fast Recovery Diode 300V,60A,TO-3P,trr=45ns ,VF=1.25V / دیود فست 300 ولت 60 آمپر سیلان چین -کاتد مشترک پکیچ TO-3P یا پکیج TO-247
مخابرات کانکتوری(بی سیم)-آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 200 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
رگلاتور HIGH ولتاژ 5 ولت ثابت 3 آمپر SIMPLE SWITCHER® 4V to 60V, 3A Low Component Count Step-Down Regulator