HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
14A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
14A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
10A- |
|
IDM-IDP |
56A- |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
79W |
| RDS(on) |
0.20Ω |
|
td(ON) |
15ns |
|
tr |
58ns |
|
td(off) |
45ns |
|
Trr |
130-190ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
• 12A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موتور بزرگ فوق العاده -فن بلبرینگی بسیار دور بالای اریجینال نیپا 25*120*120 4600 دور نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 24VDC,0.45A AIR FLOW 148 10.8W RPM:4600 ولتاژ 24VDC ولت 0.45 آمپر باد دهی148 AXIAL DC FAN MOTOR IMPEDANCE PROTECTED امپدانس محافظت شده
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 25 در 40 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری 470UF/ 250V HP471W25AT 470UF /250V
ترایاک 41 آمپر 600 ولت ،تریاک 41A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-3P
