09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

F9530N/IRF9530N اریجینال IR فیلیپین

IRF9530N
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
13,800 تومان
+50
0.7 %
13,700 تومان
+200
1.4 %
13,600 تومان
+500
3.6 %
13,300 تومان

نقد و بررسی اجمالی

HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ

 

 دریافت دیتا شیت

دریافت  کتابخانه( ALITUM  DESIGNER )

HEXFET® Power MOSFET
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال  100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

دوام بسیار بالا و کیفیت بالا

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-220

ولتاژکاری

100V-

جریان کاری

14A-

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

100V-

VGS-VGSS

±20V

VGS(th)

2V-4V-

 ID(25°C)

14A-

 ID(HIGH TEMP)

10A-

IDM-IDP

56A-

PD(TA=25°C)

-

PD(TC=25°C)

79W
RDS(on)

0.20Ω

td(ON)

15ns

tr

58ns

td(off)

45ns

Trr

130-190ns

MOSFET PACK

1

ابعاد

10.54x15.24x4.69mm

دمای کاری

175+~55-

برند

IR

کشور سازنده

-

کیفیت

ارجینال IR فیلیپین
نوع مونتاژ DIP




مشخصات بیشتر:
• 12A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن