HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
14A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
14A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
10A- |
|
IDM-IDP |
56A- |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
79W |
| RDS(on) |
0.20Ω |
|
td(ON) |
15ns |
|
tr |
58ns |
|
td(off) |
45ns |
|
Trr |
130-190ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
• 12A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Surface Mount Fast Switching Rectifier 800 V, 1 A, DO-214AC دیودفست 800 ولت 1 آمپر اس ام دی
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری3.3 کیلو اهم 5 وات 3.3K5W 3.3K
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
