52A, 1200 V, IGBT ای جی بی تی 52 آمپر 1200 ولت زیمنس استوک مونتاژ چین
52A, 1200 V, IGBT
ای جی بی تی 52 آمپر 1200 ولت زیمنس استوک مونتاژ چین
دریافت دیتا شیت
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-218 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
52A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
52A |
|
IC(HIGH TEMP) |
33A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
300W |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
|
VCE(sat) |
2.7-3.2V |
|
ICM-IC PULSE |
104A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
75-110ns |
|
tr |
65-100ns |
|
td(off) |
420-560ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15x20.3x4.9mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
زیمنس استوک مونتاژ چین |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Features
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Avalanche rated
1A,1000V ,150 ns ,DO-41 , Fast Recovery Diode دیودالترا فست 1000 ولت 1 آمپر trr =500ns
سه پایه -دیود الترا فست 600 ولت 60 آمپر 60A,600V TO-3P ,Ultrafast Recovery Diode trr = 27-230nS
میکروکنترلر 8 بیتی با فلش 32K با فرکانس 16 مگاهرتز 8bit Microcontrollers - MCU Access Line 16 MHz 8-bit MCU 32 Kbyt
ترانزیستور NPN ولتاژ100 ولت 6 آمپر Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 6A, 65 W, TO-220
