600V, 40A,IGBT High Speed Power Switching ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا RJH60F5DPQ-A0
600V, 40A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F5DPQ-A0
ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
260.4W |
|
VGE(th) |
4-7V |
|
VCE(sat) |
1.37-1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
53ns |
|
tr |
34ns |
|
td(off) |
95ns |
|
Trr |
25ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
ای سی تقویت کننده،اپ امپ عملیاتی دقیق ولتاژ کاری 40 ولت Precision Operational Amplifiers
مقاومت کربنی560 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 22 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
