600V,27A,IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
600V,27A,IGBT WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
27A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
55A |
IC(HIGH TEMP) |
27A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
200W |
VGE(th) |
3-6V |
VCE(sat) |
1.65-2V |
ICM-IC PULSE |
220A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
25A |
td(ON) |
46ns |
tr |
25ns |
td(off) |
140-230ns |
Trr |
50-75ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
ویژگی ها:
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies
available
• IGBT's optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
میکروکنترلر 8 بیت اتمل با فلش 8 کیلو بایت و فرکانس 16 مگاهرتز- 8Bit Microcontroller with 8K Bytes In-System Programmable Flash TQFP-32 ,ATMEL ATMEGA8A-AU/اتمگا8/میکروAVR
خازن تانتال 0.68 میکرو فاراد(680 نانوفاراد)کیفیت بسیار بالا و صنعتی 35 ولت
BZX55C3V0 Zener Diodes 3V 500mW دیود زنر 3 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 650 V, High Speed Switching & Low Power Loss