600V,27A,IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
600V,27A,IGBT WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
27A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
55A |
|
IC(HIGH TEMP) |
27A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
140-230ns |
|
Trr |
50-75ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
ویژگی ها:
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies
available
• IGBT's optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
ولوم 10000 سیکل تک (3 پایه) 5کیلو B502 RVS28 کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
خازن MKT ظرفیت4.7 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 4.7nF 100V 472j100V
مقاومت5 % کربنی 1 وات
FGA6560WDF: IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench ای جی بی تی فست 60 آمپر 650 ولت ON دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
