ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 60 A Field Stop IGBT / پکیچ TO-3P/ سیلان
600V, 60 A Field Stop IGBT
VCE=2.2V
ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
60A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
- |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
Silan |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
سیلان چین -کیفیت قابل قبول |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Electric Welder
Frequency Converter
Photovoltaic Inverter
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
50A,200V TO-3P , Ultrafast Dual Diode دیود الترا فست 200 ولت 50 آمپر trr = 32ns کاتد مشترک
مقاومت کربنی4.7 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
