600V,30A IGBT,TO-3P ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
600V,30A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
دریافت دیتا شیت
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 30 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
30A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
100A |
|
IC(HIGH TEMP) |
30A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
120W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.7-2.8V |
|
ICM-IC PULSE |
100A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
0.30µs |
|
tr |
0.20µs |
|
td(off) |
0.50µs |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.5x20x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
بدون دیود هرزگرد |
1. کاربردها:
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
• Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. ویژگی ها:
(1) 4th generation
(2) Enhancement mode
(3) High-speed switching : tf = 0.20 μs (typ.) (IC = 50 A)
(4) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.7 V (typ.) (IC = 50 A)
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
1000V, 40A Field Stop Trench IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
FGW75G60WQ ای جی بی تی 75 آمپر 600 ولت ساخت فوجی ژاپن دیود هرزگرد (جدید)
مقاومت کربنی150کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
