ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ 40A, 650 V, Low Loss DuoPack
40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
80A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
375W |
VGE(th) |
4-5-6V |
VCE(sat) |
1.95-2.4V |
ICM-IC PULSE |
160A |
IF(25°C) |
40A |
IF(HIGH TEMP) |
20A |
td(ON) |
58ns |
tr |
54ns |
td(off) |
245ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اولین بار در ایران - اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
General Description
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching
series and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & Inverter applications
Features
High Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A
Eoff = 0.35mJ @ TC = 25°C
High Input Impedance
trr = 80ns (typ.) @diF/dt = 1000A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Applications
PFC
UPS
PV Inverter
Welder
IH Cooker
ST2N N-channel 60 V, 1.8 Ω, 0.35 A, SOT23-3L, TO-92 STripFET™ Power MOSFET ماسفت 60 ولت 200 میلی آمپر
پلی استر 2.2 میکرو فاراد 630 ولت CBB سری طول عمر بالا POLYESTER Capacitor Film 2.2UF 630V 225j630V
خازن پلی استر ظرفیت1.5 نانو فاراد 63 ولت Film Capacitors POLYESTER 1.5nF 63V 152j63V
N-channel MOSFER 400V, 2A TO-220 ماسفت 400 ولت2 آمپر