ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر IR فیلیپین n-channel 100V , 180A HEXFET Power MOSFET
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 180A, TO-220AB
ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 3.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سری |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220AB |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
180A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
100V |
VGS-VGSS |
±20V |
(VGS(th |
2-4V |
( ID(25°C |
180A |
(ID(HIGH TEMP |
130A |
IDM-IDP |
670A |
(PD(TA=25°C |
- |
(PD(TC=25°C |
370W |
(RDS(on |
3.7mΩ |
(td(ON |
25ns |
tr |
67ns |
(td(off |
78ns |
Trr |
50-90ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
16.51x10.66x4.82mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 128K و رم 20K با فرکانس 72 مگاهرتز Medium-density performance line ARM®-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 com. interfaces
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
وان قلع استیل 38 کیلویی 2000 وات - سایز داخلی طول 30 / عرض25/ ارتفاع 7 /سانتیمتری - کنترل دمای دیجیتالی بین 0 تا 600 درجه سانتیگراد - محفظه جداگانه جهت قلع اکسید شده -L300×W250×H70mm