ای جی بی تی قدرت 360 ولت 46 آمپر 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT 360V,46A ,TO-263AB
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
360V,46A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 360 ولت 46 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
360 ولت 46 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-263AB |
|
ولتاژکاری |
390V |
|
جریان کاری |
46A |
|
VCE |
390V |
| (IC(25°C |
46A |
|
(IC(HIGH TEMP |
31A |
|
VGE |
±10V |
|
Ptot-PD |
250W |
|
(VGE(th |
1.3-2.2V |
|
(VCE(sat |
1.17-1.60V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
(IF(25°C |
- |
|
(IF(HIGH TEMP |
- |
|
(td(ON |
0.7-4uS |
|
tr |
2.1-7uS |
|
(td(off |
4.8-15uS |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
10.66x9.65x4.82mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ماژول تریستور 132 آمپر 400 ولت سمیکرون اریجینال 132A,400V Thyristor Modules
60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ترانزیستور 200 ولت2 آمپر - استفاده در تلویزیون رنگی- Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose