دوبل ماسفت P و N کانال 40 ولت 40V Dual P + N-Channel MOSFET SO IC-8 Field Effect Transistor
General Description
The AO4614B uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other applications
استفاده در انواع تجهیزات و دستگاه جوش های اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
SOIC-8 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
6A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
1-2.3-3V |
|
(ID(25°C |
6A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5A |
|
IDM-IDP |
20A |
|
(PD(TA=25°C |
1.28W |
|
(PD(TC=25°C |
2W |
| (RDS(on |
23.2-31mΩ |
|
(td(ON |
4.2ns |
|
tr |
3.3ns |
|
(td(off |
15.6ns |
|
Trr |
20.5ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
AO 4614
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS (V) = 40V, -40V
ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)
RDS(ON)
< 30mW (VGS=10V) < 45mW (VGS= -10V)
< 38mW (VGS=4.5V) < 63mW (VGS= -4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% Rg Tested 100% Rg Tested
برد خام 6 خازنی دستگاه 12 ماسفتی - 2 رله-PTC و NTC دار- وریستور دار - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
جهت برقراری ارتباط سریال بین کامپیوتر و میکرو کنترلر با محدوده کاری تغذیه 3 تا 5.5 ولت RS-232 performance from a3.0V to 5.5V supply
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
سلف(نویز گیر) خروجی دستگاه جوش مدل iGBT نسبت 5:5:5:5 HS35243/01 T185 5:5:5:5 2.0mm کد T185 هشت پین با کیفیت هسته عالی و صنعتی
