600V, 75 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال بدون دیود هرزگرد
600V, 75 A Field Stop IGBT
ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال
بدون دیود هرزگرد
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
Fairchild Semiconductor Corporation
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
150A |
|
IC(HIGH TEMP) |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
452W |
|
VGE(th) |
4-5-6.5V |
|
VCE(sat) |
1.9-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
225A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
27ns |
|
tr |
70ns |
|
td(off) |
128ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x20.6x4.7mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FAIRCHILD |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
بدون دیود هرزگرد |
ویژگی ها:
موارد مصرف:
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC
اطلاعات بیشتر:
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
دیود الترا فست 200 ولت 40 آمپر اریجینال -40A,200V TO-220 ,Ultrafast Recovery Power Rectifier trr = 30ns کاتد مشترک
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 100V دیود شاتکی 100 ولت 4 آمپر -
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر / Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
