TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
20A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
80A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
td(ON) |
70ns |
tr |
30ns |
td(off) |
290ns |
Trr |
540ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 17 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
دیود شاتکی 100 ولت 20 آمپر / پکیج پلاستیکی Switch-mode Power Rectifiers diode Schottky 100V Through Hole TO-220F
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری10 اهم 5 وات 10R5W 10R
ماژول دیود (اند مشترک ایزوله) فست 600 ولت 100 آمپر - DAWIN DAC2F100P6S, Dual Diode Module, Common Anode, 600V 100A ** ایزوله : پایه مشترک به بدنه کف متصل نیست**
N-channel MOSFER 400V, 2A TO-220 ماسفت 400 ولت2 آمپر