TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
24A |
|
ID(HIGH TEMP) |
15.2A |
|
IDM-IDP |
96A |
|
PD(TA=25°C) |
2.22W |
|
PD(TC=25°C) |
271W |
| RDS(on) |
0.16-0.19Ω |
|
td(ON) |
80-170ns |
|
tr |
250-500ns |
|
td(off) |
200-400ns |
|
Trr |
400ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.80x21x5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ IGBT Trench 600V 75A 454W Through Hole TO-247AD / n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Surface Mount Fast Switching Rectifier 200 V, 1 A, DO-214AC دیودفست 200 ولت 1 آمپر اس ام دی
فن بلبرینگی بسیار دور بالای اریجینال نیپا 38*120*120 4200 دور ولتاژ 12 ولت دی سی 1.5 آمپر باد دهی218 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 12VDC,1.5A AIR FLOW 218 RPM:4200
بردخام درایور IGBT - فایبرگلاس با کیفیت - کیفیت بسیار بالا تولید آترین - دو رو متالیزه
