09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

K2837/TTK2837 اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن (توقف موقتی تولید -افزایش شدید قیمت جهانی)

TTKK2837
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
61,400 تومان
+20
4.2 %
58,800 تومان
+100
9.4 %
55,600 تومان

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن

 

 دریافت دیتا شیت

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن


موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

500V

جریان کاری

20A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

500V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

3-5V

 ID(25°C)

24A

 ID(HIGH TEMP)

15.2A

IDM-IDP

96A

PD(TA=25°C)

2.22W

PD(TC=25°C)

271W
RDS(on)

0.16-0.19Ω

td(ON)

80-170ns

tr

250-500ns

td(off)

200-400ns

Trr

400ns

MOSFET PACK

1

ابعاد

15.80x21x5mm

دمای کاری

150+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ژاپن

کیفیت

ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن
نوع مونتاژ DIP     
ویژگی خاص -


مشخصات بیشتر:
• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن