ای سی 4 گیت نند دو وروی با خروجی اپن درین ( Quad 2-input NAND gate (with open drain outputs
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ای سی |
|
سری |
CMOS |
|
تعداد پین |
14 |
|
پکیج |
DIP-14 |
|
ولتاژکاری |
2-6V |
|
جریان کاری |
- |
|
ابعاد |
20.32x7.40x5.06mm |
|
دمای کاری |
85+~40- |
|
برند |
- |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
گیتNAND |
HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
رگولاتور 12 ولت ثابت 1.5 آمپر Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 12V 1.5A TO-220AB
بردخام تک رو تغذیه دوبل مدل جدید - فایبرگلاس با کیفیت - کیفیت بسیار بالا تولید آترین
Low-Loss Fast Recovery Diode 300V,60A,TO-3P,trr=42ns ,VF=1.22V / دیود فست 300 ولت 60 آمپر نیپا -کاتد مشترک پکیچ TO-3P
