ای سی 8 گیت نات با دو فعال کننده 4 تایی مجزا Octal buffer/; 3-state; inverting
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ای سی |
سری |
CMOS |
تعداد پین |
20 |
پکیج |
DIP-20 |
ولتاژکاری |
2-6V |
جریان کاری |
- |
ابعاد |
24x6x4mm |
دمای کاری |
85+~40- |
برند |
philips |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
line driver |
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 5*11 خازن الکترولیت
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی120 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor