HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB
ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 75mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
8A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
8A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
32A |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
125W |
| RDS(on) |
0.85Ω |
|
td(ON) |
35ns |
|
tr |
15ns |
|
td(off) |
90ns |
|
Trr |
600ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.29x15.75x4.92mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
سافت استارت(راه اندازی نرم) فن 9 پر بلبرینگی دور بالای اریجینال نیپا 38*120*120 3600 دور نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 24VDC,0.70A AIR FLOW 170 16.8W RPM:3600 ولتاژ 24VDC ولت 0.70 آمپر باد دهی170 AXIAL DC FAN MOTOR IMPEDANCE PROTECTED امپدانس محافظت شده
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 35 در 70 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری HP102W25AT
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی5.6 مگااهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
