6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 80mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V- |
|
جریان کاری |
6.5A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
2V-4V- |
|
(ID(25°C |
6.5A- |
|
(ID(HIGH TEMP |
4A- |
|
IDM-IDP |
26A- |
|
(PD(TA=25°C |
0.6W |
|
(PD(TC=25°C |
75W |
| (RDS(on |
0.500-0.800Ω |
|
(td(ON |
30-50ns |
|
tr |
50-100ns |
|
(td(off |
50-100ns |
|
Trr |
400ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 6.5A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
ای جی بی تی فست 40 آمپر 1200 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, IGBT - Field Stop II :VCEsat = 2V
بخش فایل های صوتی از روی کارت MICRO SD با فرمت AD4 - wave توسط کلید یا میکروکنترلر
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری100 کیلو اهم 10 وات 100K10W 100K
200 پیکو فاراد عدسی خازن سرامیکی 200pF
