6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 80mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت6.5 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 80mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
200V- |
جریان کاری |
6.5A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V- |
VGS-VGSS |
±20V |
(VGS(th |
2V-4V- |
(ID(25°C |
6.5A- |
(ID(HIGH TEMP |
4A- |
IDM-IDP |
26A- |
(PD(TA=25°C |
0.6W |
(PD(TC=25°C |
75W |
(RDS(on |
0.500-0.800Ω |
(td(ON |
30-50ns |
tr |
50-100ns |
(td(off |
50-100ns |
Trr |
400ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 6.5A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
ترانس 7.731.307 EE-22-30 ترانس تغذیه سوئیچینگ7پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدلESAB ET2000 گام الکتریک Mini el201 گام الکتریک Mini el251 اینورتر جوش ایشیک ساخت ترکیه اینورتر تک برد صبا 200a اریجینال و با کیفیت بالا
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری47 اهم 10 وات 47R10W 47R
ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر N کانال RDS=1.4 - 40V 195A Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 6 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر