50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.04
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
50A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
50A |
|
ID(HIGH TEMP) |
35A |
|
IDM-IDP |
200A |
|
PD(TA=25°C) |
2W |
|
PD(TC=25°C) |
300W |
| RDS(on) |
0.04Ω |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
60ns |
|
td(off) |
55ns |
|
Trr |
268-402ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
ماسفت قدرت 600 ولت6 آمپر HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 600V, 6A,
فن بلبرینگی بسیار دور بالای اریجینال نیپا 38*120*120 4200 دور ولتاژ 12 ولت دی سی 1.5 آمپر باد دهی218 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 12VDC,1.5A AIR FLOW 218 RPM:4200
دیود فست / عمومی 45 ولت 200 میلی آمپر /200mA ,45V,DO-35 , DO35
