50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.04
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
50A,200V, 0.04 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 50 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.04
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
50A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
50A |
ID(HIGH TEMP) |
35A |
IDM-IDP |
200A |
PD(TA=25°C) |
2W |
PD(TC=25°C) |
300W |
RDS(on) |
0.04Ω |
td(ON) |
17ns |
tr |
60ns |
td(off) |
55ns |
Trr |
268-402ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال فیلیپین -کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 10 مگا اهم 0805 تلرانس 5 درصد
برد خام 16 دیودی 4 ترانسه دستگاه 12 ماسفتی با 2 شنت ساده برای استفاده واقعی از 250 آمپری (برد آروایی) برد 4 ترانسفورمره - قابلیت نصب سلف خروجی - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-REC-M16-2SH
Current Mode PWM Controller,DIP-8 درایور PWM اریجینال