ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
3A |
|
VCBO |
100V |
|
VCEO |
80V |
|
VEBO |
- |
|
IC |
3A |
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
0.5V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
|
hFE(min) |
- |
|
hFE(max) |
- |
|
ptot-PD |
- |
|
FT |
- |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
|
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
ترانزیستور NPN ولتاژ160 ولت 600 میلی آمپر Amplifier Transistors NPN Silicon NPN TRANSISTOR 160V,600mA- DO-92
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 55 A Field Stop IGBT
مقاومت کربنی3.9 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
وان قلع استیل 38 کیلویی 2000 وات - سایز داخلی طول 30 / عرض25/ ارتفاع 7 /سانتیمتری - کنترل دمای دیجیتالی بین 0 تا 600 درجه سانتیگراد - محفظه جداگانه جهت قلع اکسید شده -L300×W250×H70mm