فت قدرت و سوئیچ هوشمند Smart High-Side Power Switch
Features
Overload protection
Current limitation
Short circuit protection
Thermal shutdown
Overvoltage protection (including load dump)
Fast demagnetization of inductive loads
Reverse battery protection1)
Undervoltage and overvoltage shutdown with
auto-restart and hysteresis
Open drain diagnostic output
Open load detection in ON-state
CMOS compatible input
Loss of ground and loss of Vbb protection
Electrostatic discharge (ESD) protection
Green Product (RoHS compliant)
AEC Qualified
Application
C compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads
All types of resistive, inductive and capacitve loads
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS
technology. Providing embedded protective functions

مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
5 |
|
پکیج |
TO-263-5 |
|
ولتاژکاری |
65V |
|
جریان کاری |
- |
|
VCBO |
- |
|
VCEO |
- |
|
VEBO |
- |
|
IC |
- |
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
|
hFE(min) |
- |
|
hFE(max) |
- |
|
ptot-PD |
- |
|
FT |
- |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
|
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | SMD |
| ویژگی خاص | - |
23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.117
ماسفت P کانال 30 ولت 12 آمپر MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی8.2 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor