MOSFETs Silicon N-Channel MOS 600V,38A (DTMOS) ماسفت قدرت N کانال 600 ولت 38 آمپر توشیبا RDS(on) = 0.055
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.9 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TO-247
موارد استفاده :
انواع سوئیچینگ
ماینر ها
پاور های صنعتی
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
38A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
600V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
- |
ID(HIGH TEMP) |
38A |
IDM-IDP |
155A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
270W |
RDS(on) |
0.055Ω |
td(ON) |
- |
tr |
50ns |
td(off) |
200ns |
Trr |
450ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
9A,900V N-Channel MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت9 آمپر فوجی ژاپن با دیود فست هرزگرد FUJI
مقاومت کربنی2.7 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 75A, 600 V, High Speed Switching & Low Power Loss