N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET in a TO-220FP package ماسفت قدرت 600 ولت 20 آمپر ST RDS(on) = 0.165Ω
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع پاورهای صنعتی- سوئیچینگ ها- ماینر ها
FEAUTURES
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Applications
Switching applications
Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the second generation of
MDmesh™ technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220FP |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
600V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
20A |
|
ID(HIGH TEMP) |
12.6A |
|
IDM-IDP |
80A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
35W |
| RDS(on) |
0.165Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
85ns |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ST |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
ماسفت STF26NM60N
ماسفت 26NM60N
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 10*13 خازن الکترولیت
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ 40A, 650 V, Low Loss DuoPack
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
ترانزیستور NPN ولتاژ80 ولت1 آمپر 1A, 80V, POWER TRANSISTORS NPN SILICON SOT-223
