ماسفت 20 ولت6 آمپر N کانال - N-Channel Enhancement Mode MOSFET 20V,6A
Feature
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Application
Battery protection
Switching application
استفاده در صنایع :
محافظ باتری - سوئیچینگ ها - ماینرهاMINER
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
8 |
پکیج |
TSSOP-8 |
ولتاژکاری |
20V |
جریان کاری |
6A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
20V |
VGS-VGSS |
- |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
15.5A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
- |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
- |
RDS(on) |
25m |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
2 |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
www.fuxinsemi.com |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | SMD |
ویژگی خاص | - |
دیود الترا فست 200 ولت 40 آمپر اریجینال -40A,200V TO-220 ,Ultrafast Recovery Power Rectifier trr = 30ns کاتد مشترک
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
مقاومت کربنی330 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 470 اهم 1206 تلرانس 5 درصد