1200V,150A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 150 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
1200V,150A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge
ماژول 1200 ولت 150 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
Fast IGBT4 Modules
SKM150GB12T4G
موارد استفاده :
انواع اینورترهای دور موتور
انواع اینورترهای جریان
منابع سوئیچینک
مدارهای قدرت و مخابراتی
اینورتر جوشکاری و صنایع جوش و برش
و......
دوبل - نیم پل
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Modules |
|
تعداد پین |
4 |
|
پکیج |
MODULE |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
150A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
- |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
2 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
94x34x30.5mm |
|
دمای کاری |
150+~40- |
|
برند |
SEMIKRON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال سمیکرون آلمان |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
ماژول دوبل -نیم پل |
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری3.3 کیلو اهم 5 وات 3.3K5W 3.3K
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 3 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر قفل شو-لاک پاور
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 4 پین(نری) - فاصله پایه 2.54 میل-لاک پاور 250 ولت 3 آمپر
