ماسفت 30 ولت 80 آمپر کانال N 30V,80A TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET
استفاده در انواع دستگاه های جوش
تجهیزات الکترونیکی
اینورترها و تجهیزات دیگر
DESCRIPTION
The CJU80N03 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications.
FEATURES
High density cell design for ultra low RDS(ON)
Fully characterized Avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
APPLICATIONS
Power switching application
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible Power Supply
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-252 |
|
ولتاژکاری |
30V |
|
جریان کاری |
80A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
60V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
1-2.1-2.5V |
|
ID(25°C) |
115mA |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
800mA |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
200mW |
| RDS(on) |
1.2-7.5Ω |
|
td(ON) |
20ns |
|
tr |
- |
|
td(off) |
20ns |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
119x56x44mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
TRANSISTOR, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 49A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 49 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
200V ,31A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ماسفت قدرت 200 ولت 31 آمپر IR فیلیپین
مقاومت5 % کربنی 2 وات
رله16 آمپر 24 ولت کتابی یا شیشه ای امرن سری G2R - سوکتی 8 پایه - 2 کنتاکته
