1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
24A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
45A |
|
IC(HIGH TEMP) |
24A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
24A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
27ns |
|
td(off) |
110-170ns |
|
Trr |
24ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 2 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
مقاومت کربنی15 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
گلند پلاستیکی با سایز رزوه PG13.5 و جنس بدنه پلی آمید Cable gland, PG13,5, IP68
ترانزیستور NPN ولتاژ400 ولت 12 آمپر 100 وات پکیج بزرگ NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400V,12A,100W TO-3P
